(AOS美国万代半导体公司代理商|泰德兰|新闻摘要:MOSFET驱动器的功耗包含三部分)
AON3820 | 当今多种 MOSFET 技术和硅片制程并存,而且技术进 步日新月异。要根据 MOSFET 的电压 / 电流或管芯尺 寸,对如何将MOSFET驱动器与MOSFET进行匹配进 行一般说明,实际上显得颇为困难,甚至不可能。 与任何设计决策一样,在为您设计中的 MOSFET 选择 合适的 MOSFET 驱动器时,需要考虑几个变量。需要 考虑的参数至少需要包括输入至输出的传输时延、静态 电流、抗闭锁和电流驱动能力。驱动器的功率消耗也影 响着封装的决定和驱动器的选择。 本应用笔记将详细讨论与 MOSFET 栅极电荷和工作频 率相关的 MOSFET 驱动器功耗。还将讨论如何根据MOSFET 所需的导通和截止时间将 MOSFET 驱动器的 电流驱动能力与 MOSFET 栅极电荷相匹配。AOS美国万代提供许多不同种类的 MOSFET 驱动器,它们 采用不同的封装,因此可以使设计者为应用中的 MOS- FET 选择最合适的 MOSFET 驱动器。 MOSFET 驱动器的功耗 对 MOSFET 的栅极进行充电和放电需要同样的能量, 无论充放电过程快或慢 (栅极电压的上升和下降)。因 此,MOSFET 驱动器的电流驱动能力并不影响由 MOS- FET 栅极的容性负载产生的驱动器功耗。 从上述公式推导得出,三部分功耗中只有一个与MOSFET 栅极电容充电和放电有关。这部分功耗通常是 最高的,特别在很低的开关频率时。 交越导通特性在MOSFET驱动器数据手册中显示为“交 越能量—电源电压”典型特性曲线。图 2 给出了这个曲 线示例。 交越常数的单位通常为安培 - 秒(A*sec)。这个数值与 工作频率相乘得到平均电流值。图 2 证明了先前讨论的 这一点。也就是,当偏置电压增加时,交越常数也增加, 因此驱动器的功率消耗 (由于交越导通)也增加。反 之,减小驱动器电压导致驱动器功耗减小。 峰值电流驱动的需求 同时还需要考虑在 MOSFET 驱动器和功率 MOSFET 栅 极之间使用外部电阻,因为这会减小驱动栅极电容的峰 值充电电流。 AOS代理商_AOS公司美国万代半导体授权一级AOS代理商泰德兰电子--推荐型号: 制造商零件编号:AO3415 |
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