十大国产mos品牌,mos管厂家排名介绍,十大进口mos品牌,mos管生产厂家排名介绍
MOS管品牌大全分类:
美系:AOS(美国万代)、IR、ST(意法半导体)、TI(德州仪器)、PI、diodes、pip、仙童、安森美、英飞凌(Infineon)、威世(Vishay)。
日系:东芝(Toshiba)、瑞萨、罗母(ROHM)、松下、富士。
韩系:KEC、KIA、AUK、美格纳、森名浩、威士顿(wisdom)、信安。
台系:APEC(富鼎)、CET(华瑞)、UBIQ(力祥)、UPI、松木(Matsuki)、大中(sinopower)、福鼎、威碧、擎力、微硕(winsok)、尼克森。
国产:新洁能(NCE)、长电、飞虹、华之美、后羿、士兰微、吉林华微、华润华晶、东光微、深爱半导体。
一、台湾松木(Matsuki)mos管厂家概述,台湾松木(Matsuki)mos管生产厂家公司介绍
力士科技股份有限公司台灣MOSFET技術集成電路設計之先驅MOSFET製程主要使用先進的0.25/0.18/0.13 µm製程技術,全方位應用在低壓及中﹑高電壓領域。我們擁有類比積體電路﹑MOSFET ﹑肖特基二極體和被動零件等銷售項目,在Co- Pak或COB達到最有效的管理和應用。我們擁有MOSFET ﹑類比積體電路最佳設計及製程整合技術團隊。使用短通道技術設計MOSFET及IGBT產品,將細胞密度從400M/in² 增加至900M/in²~2000M/in² ,使晶粒的面積縮小30%以上,並且完全不影響原產品電器特性。由於Buried Gate與Narrow Trench Width之創新技術,可降低Rg 和Qgd,使MOSFET可應用於高速操作頻率之電子系統上。淺溝槽金氧化電晶體製程技術可使得Qgd/Qgs比值更小於1,可避免擊穿效應發生。力士科技晶圓以自行設計之獨家技術轉移至合作晶圓廠投片生產為主,全程由謝執行長以多年專業經驗執行監督及調整製程,完全掌控產品良率及縮短生產週期;多數競爭品牌因採外購晶圓方式,所以對產品品質及生產週期無法掌握,喪失優勢。與其他競爭者比較, 力士科技使用同業中最先進之8”晶圓、0.18µm 製程量產,多數競爭者目前仍使用6”晶圓、0.35/0.25µm製程,在成本控制上具備更高的優勢。採用最簡化製程技術,產品生產良率均能保證大於95%。可依客戶應用線路設計之電性需求,開發功能更優化之產品。開發MSD專利,將MOSFET、Schottky、ESD Diode 三合一整合,除技術領先其它廠商外,更加符合客戶應用需求。完成開發量產業屆最低內阻產品(RDS(ON) =1.6mΩ(Max.), 1.2mΩ(Typ.) ),提高效率並減少耗能。已規劃完成0.13µm製程技術於未來之產品線上。已進行申請數十項溝槽式MOSFET及IGBT製程與元件專利。截至目前,已於美國、台灣、中國進行申請60項專利中,並已取得3項美國專利,各項專利均植基於謝執行長個人擁有之112項專利。自有製程主要使用先進的0.25/0.18/0.13 µm製程技術,全方位應用於低壓、中壓及高電壓領域。不斷擴展銷售市場領域,依產業應用要求開發設計產品,目前擁有類比IC、MOSFET、肖特基二極體和被動零件等銷售項目,達到最有效的管理和應用。我們擁有MOSFET、類比IC最佳設計及製程整合技術團隊,對於市場動向轉換,可立即對應支援。MOSFET產品應用面相當廣泛,舉凡筆記型電腦、主機板、顯示器、數位相機、手機通訊等3C產品線路設計均會使用到此類型產品;由於產品多用於大電流線路應用,生產又採特殊製程,極不容易與其它IC元件合併,因此保有持續成長市場銷售的潛力。IGBT產品目前僅美國、日本廠商及力士科技有此生產技術,主要用於電源產業,使功率消耗最小化,能源效率最大化,預估全球半導體分立器件及電子功率模組市場需求量約136億美元,IMS預測,這塊市場在未來5年內的年平均成長率,仍可維持8~9%高檔水準。
二、长电mos管厂家概述,长电mos管生产厂家公司介绍
长电科技是全球领先的半导体微系统集成和封装测试服务提供商,提供全方位的微系统集成一站式服务,包括集成电路的系统集成封装设计、技术开发、产品认证、晶圆中测、晶圆级中道封装测试、系统级封装测试、芯片成品测试并可向世界各地的半导体供应商提供直运。通过高集成度的晶圆级WLP、2.5D / 3D、系统级(SiP)封装技术和高性能的Flip Chip和引线互联封装技术,长电科技的产品和技术涵盖了主流集成电路系统应用,包括网络通讯、移动终端、高性能计算、车载电子、大数据存储、人工智能与物联网、工业智造等领域。 长电科技在中国、韩国、新加坡拥有三大研发中心及六大集成电路成品生产基地, 营销办事处分布于世界各地,可与全球客户进行紧密的技术合作并提供高效的产业链支持。长电mos管畅销型号推荐:2N7000,2N7002,2N7002K,2N7002K,2N7002KW,2N7002T,2N7002W,2N7002X,2SK1658,2SK3018,2SK3018,2SK3019,2SK3541,BSS123,BSS138,BSS138W。
三、新洁能(NCE)mos管厂家概述,新洁能(NCE)mos管生产厂家公司介绍
无锡新洁能专业从事半导体功率器件的研发与销售。目前公司主要产品包括:12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT,相关核心技术已获得多项专利授权,四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定。公司产品凭借低损耗、高可靠性品质,已成功进入汽车电子、电机驱动、家用电器、消费电子、LED照明、电动车、安防、网络通信等市场领域,获得国内外知名公司的认证。公司利用自身技术优势,与国际知名的8” 晶圆代工厂、封装测试代工厂紧密合作,具备完善的质量管理体系,确保产品的持续优质和稳定供货。公司是高新技术企业、中国半导体功率器件十强企业(中国半导体协会,2016&2017年),拥有无锡市功率器件工程研究中心、江苏省研究生工作站,注重先进半导体功率器件的研发与产业化,多项研发成果在IEEE、ISPSD等国际期刊/国际会议上发表,并被SCI、EI索引。公司将持续加大研发投入,提升产品竞争力,目标成为具有国际竞争力的半导体功率器件产品与服务供应商。作为领先的MOSFET分立器件设计与供应商,新洁能致力于推广性能卓越、质量稳定并且极具价格竞争力的全系列MOSFET产品。我们为电路设计师们提供全面的产品选择,击穿电压覆盖-200V至300V,配合最先进的封装技术,为您提供100mA至400A的电流选择范围。我们专注于持续改进MOSFET在电能转换过程中的系统效率和功率密度以及在苛刻环境下开关过程中的抗冲击雪崩耐量,实现快速、平稳、高效的电源管理及电能转换。通过采用最先进的沟槽栅工艺技术和电流通路布局结构,新洁能MOSFET实现了功率密度最大化,从而大幅度降低电流传导过程中的导通损耗。同时,电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定;应对于高频率的开关应用,我们为设计师们提供低开关损耗的系列产品(产品名称后加标C),其有效降低了栅极电荷(Qg),尤其是栅极漏极间的电荷(Qgd),从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。通过采用这些先进的技术手段,MOSFET的FOM(品质因子(Qg*Rdson))得以实现行业内的领先水平。应对于半桥/全桥、AC/DC电源的同步整流以及其它需要反向续流的应用终端,我们的MOSFET着重优化了Body Diode,在提高和加快反向续流能力的同时,降低反向恢复过程中的峰值电流(Irm)和电压(Vrm)。新洁能结合最先进的封装技术将MOSFET功率、电流和可靠性提升至新的高度,我们推出TO-220H封装外形(产品名称后加标H),有效地增加了用户在电路板装配MOSFET的工作效率,并降低了成本。
四、飞虹mos管厂家概述,飞虹mos管生产厂家公司介绍
广州飞虹电子科技有限公司成立于2007年,注册资本2880万元人民币。专业从事半导体器件设计、生产、销售为一体的高新技术型企业。公司坐落于广州增城区东区高科技工业园,厂区占地面积75亩,厂房55000平方,环境优美,交通便利。 飞虹核心技术基于原FSC韩国技术,芯片为韩国生产,同时伴随着飞虹国际化战略发展的需要,与中国大陆地区5大MOS封装基地之一:友益电子形成战略合作,生产高性价比的三极管、MOS管产品;目前飞虹品牌已经在韩国、中国等亚洲市场具备了较强的竞争力与品牌影响力。 在这个变化迅速的电子业领域,客户需要的是一个长期策略合作的伙伴,而不单只是一个电子零件供应制造商而已。 我们相信客户所需要的伙伴是能提供多样广泛的产品,卓越的技术,稳定的品牌,精确的交期,以维持其竞争力。在飞虹,我们致力于和客户建立密切的合作关系,协助客户达成并维续其领先地位,我们获得成功的方式,便是着重于产品创新,制程整合及设备研发。 因此,飞虹不只是个零件制造商,更是客户所寻找的长期策略伙伴。主营范围:飞虹品牌MOS 管,三极管,肖特基原厂。代理经销国际品牌电子元器件:IR ST NXP TOS 等。主要产品封装有:TO-220 TO-220F TO-3P TO-92 TO-92L TO-92LS TO-251 TO-252 等。产品适用领域包括:电动车控制器,电源,LED,照明,逆电器,音响功放,家电控制板等等。
五、华之美mos管厂家概述,华之美mos管生产厂家公司介绍
深圳市华之美半导体有限公司(H&M Semiconductor) br是国内电源管理IC和功率半导体器件领先的设计与销售企业,专业从事各种电源管理IC和功率半导体器件的设计、生产和销售。华之美半导体自公司成立以来,飞速发展,产品已涵盖了电源管理IC(锂电充电IC/锂电保护IC/LDO IC/低电压检测(复位)IC/DC-DC升压&降压 IC/白灯背光驱动IC/USB限流开关IC/电压基准源IC/三端稳压IC/通用DC-DC变换IC/通用PWM控制IC等)、MOS管(低压MOS/中压大电流MOS/高压MOS)、高压开关三极管、IGBT、时钟日历IC、RS485/RS232接口IC、LED射灯&日光灯&球泡灯&台灯驱动IC、运放IC、比较器IC、逻辑电路IC、模拟开关IC、EEPROM IC、音频放大IC、LED数码管驱动IC等诸多种类上百个型号。公司紧密结合自身器件与工艺设计方面领先的优势,与国内一流的芯片代工厂、封装测试代工厂保持密切配合与合作,严格控制产品质量,保证产品的优质品质和稳定供货。公司目前专注于电源管理IC/功率半导体器件(MOS管为主)的设计、生产、测试、品质管控、销售与服务。公司产品的定位:性能与可靠性向进口品牌和国内大品牌看齐,应用定位中高端,性价比高,注重品牌、品质和信誉。公司主要团队是由一批国内专业、经验丰富的电源管理IC/功率半导体器件工程师组成。公司目标成为国内最具价值的电源管理IC和功率半导体器件的供应商之一。公司是深圳半导体协会成员,中国电源学会成员。公司立足于自主创新,拥有和致力于“H&M SEMI”、“华之美半导体”自主品牌产品的推广。公司本着诚信的宗旨,致力于提供给客户高性价比的产品、高效及时的交货、专业技术支持等全方位的服务。公司目前IC/MOS管产品可广泛应用于平板电脑、移动电源、电子烟、MP3&MP4&MP5、手机、迷你音响(插卡音箱)、蓝牙耳机、GPS、行驶记录仪、点读机&点读笔、数码相机、数码相框、P-DVD、车载DVD、液晶电视、液晶显示器、机顶盒、汽车音响、组合音响、手机电池、锂电保护板、充电器、家电控制板、电动车控制板、各种电源(UPS电源/通信电源等)、适配器、LED照明(LED日光灯&球泡灯&台灯/LED手电筒/头灯&矿灯等)、节能灯照明、LED显示屏、无线鼠标&键盘、无线防盗报警器、无线收发模块、游戏机及手柄、POS机、打印机、传真机、电动玩具、遥控玩具、安防电子、网络通讯、可视门铃、电表水表气表、无绳电话&对讲机、电动工具、电磁炉、电焊机、逆变器、变频器等各类电子产品上。
六、后羿mos管厂家概述,后羿mos管生产厂家公司介绍
西安后羿半导体科技有限公司,成立于2008年,公司以高新技术为核心,致力于电子元器件国产化的设计研发和生产。经过多年的不懈努力,现已成为从事中高压大功率场效应管(MOSFET)及电源管理IC等功率器件和模拟集成电路的设计研发、生产和销售为一体的高新技术企业。公司拥有强大的研发与设计团队,研发人员占员工总数的46%,产品技术和工艺目前处于国内同行业领先水平,产品可与国际著名电子公司同类产品相互替代。同时公司拥有先进的产线设备,完整的检测中心,严格的专人专项管理,保障了产品的高一致性和高可靠性。公司秉承“民族为本,诚信至上”的核心理念,以“优良的品质,高效的服务”为指导思想,以市场需求为已任,技术不断创新,产能不断增加,以满足国内客户的批量订单。
七、士兰微mos管厂家概述,士兰微mos管生产厂家公司介绍
杭州士兰微电子股份有限公司(600460)坐落于杭州高新技术产业开发区,是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业。公司成立于1997年9月,总部在中国杭州。2003年3月公司股票在上海证券交易所挂牌交易,是第一家在中国境内上市的集成电路芯片设计企业。得益于中国电子信息产业的飞速发展,士兰微电子已成为国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体(IDM)的企业之一,其技术水平、营业规模、盈利能力等各项指标在国内同行中均名列前茅。士兰微电子建在杭州钱塘新区的集成电路芯片生产线目前实际月产出达到21万片,在小于和等于6英寸的芯片制造产能中排在全球第五位。同时,公司8英寸生产线于2015年开工建设,2017年投产,成为国内第一家拥有8英寸生产线的IDM产品公司。2018年,公司12英寸特色工艺晶圆生产线及先进化合物半导体器件生产线已经在厦门开工建设。2019年年底,第一条12吋生产线一期工程已完成主体厂房工程建设,化合物半导体制造生产线项目开始试产。公司的技术与产品涵盖了消费类产品的众多领域,在多个技术领域保持了国内领先的地位,如绿色电源芯片技术、MEMS传感器技术、LED照明和屏显技术、高压智能功率模块技术、第三代功率半导体器件技术、数字音视频技术等。同时利用公司在多个芯片设计领域的积累,为客户提供针对性的芯片产品系列和系统性的应用解决方案。SVF1N50B:1A500V。SVF1N60AM(MJ)(B)(D)(F) :1A600V。SVF1N60BM(MJ)(D):0.5A600V。SVF1N65MJ:1A650V。SVTP035R5NL3:54A30V。SVF2N60CN(M)(MJ)(F)(D) :2A600V。SVT25600NT:50A250V。SVF2N60EF(M):2A600V。SVT20240NT(P7):72A200V。SVF2N60M(MJ)(NF)(F)(D):2A600V。SVT15940ND:20A150V。SVF2N60RD(M)(MJ):2A600V。SVT15301ND:7A150V。SVF2N65CF(M)(MJ)(D)(NF):2A650V。SVF2N65F(MJ)(D):2A650V。SVF2N65RD(M)(MJ) :2A650V。SVF2N70M(MN)(NF)(D):2A700V。SVF2N80F(D)(NF)(M):2A800V。SVF3N50CD(MJ):3A500V。SVF3N50D(MJ):3A500V。SVF3N60AF:3A600V。SVF3N65VFJ:5A650V。SVF3N70CMJ(MN)(F):3A700V。SVF3N80M(MJ)(F)(D)(T)(MN):3A800V。SVF3N90MJ(M)(MN):3A900V。
八、华润华晶mos管厂家概述,华润华晶mos管生产厂家公司介绍
无锡华润华晶微电子有限公司,是华润微电子旗下负责功率半导体器件业务的国家重点高新技术企业,中国半导体协会分立器件分会副理事长单位,生产国内著名的“华晶”牌分立器件。华润华晶成立于2000年,技术力量雄厚,追求技术领先,聚焦于功率半导体领域,发展宽禁带半导体、IPM模块、系统方案等产品,成为纯国资投入、自主管理、市场化运作的具有国际影响力的功率半导体领军企业。华润华晶面向国内消费及工业电子市场,以功率器件为核心,主导产品为双极型功率晶体管、MOS型功率晶体管、IGBT和特种二极管。产品广泛应用于人们日常生活的方方面面,努力为人们打造节能、智能的生活。是国内生产规模最大、技术装备领先的功率半导体器件研发、生产基地。通过内部资源调配、校企合作及外部技术引进、收购兼并,打造中国最大最先进的功率半导体企业。华润华晶坚持与客户共同成长的经营方针,与核心客户建立战略合作伙伴关系,共谋发展。华润华晶的战略伙伴遍布全球,放眼未来,公司致力于拓展海内外市场,坚持不懈为客户提供优质的产品和周到的服务,致力于为提高产品核心竞争力,与更多的战略合作伙伴携手并进,应对复杂多变的经济形势,为双方赢得了越来越多的发展机遇,共创双赢。
九、东光微mos管厂家概述,东光微mos管生产厂家公司介绍
江苏东光微电子股份有限公司成立于1998年,注册资本:10700万元。是专业从事半导体分立器件、集成电路的开发、设计、制造和销售的高新技术企业,是国家四部委联合认定的第一批国家鼓励的集成电路企业。主要产品涵盖四大系列:包括防护功率器件系列产品,VDMOS系列产品,可控硅系列产品,1300X系列产品。产品广泛应用于通信设备、网络设备、数字电视、民用电路、摩托车、电动工具、家用电器、节能灯、消费电子、汽车电子、设备和仪表等领域。
十、深爱半导体mos管厂家概述,深爱半导体mos管生产厂家公司介绍
深圳深爱半导体股份有限公司是由深圳市赛格集团有限公司、深圳市循杰投资股份有限公司、深圳市远致投资有限公司投资建设的专业功率半导体芯片及器件生产企业。公司成立于1988年2月,2010年经股份制改造后转型为股份有限公司并于2015年8月在新三板挂牌。公司现有5英寸双极功率器件芯片和MOS器件芯片生产线及一条6英寸芯片生产线,公司封装生产线具备TO系列、SOT/SOP系列等封装形式的各类功率器件的规模生产能力。公司目前是深圳唯一一家具有前、后工序生产线的功率半导体器件制造企业,主导产品如双极功率晶体管、功率MOSFET、功率二极管、LED驱动IC、电源管理IC等在业内享有较高声誉并已批量进入国际市场。
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美系:AOS(美国万代)mos管厂家、IR mos管厂家、ST(意法半导体)mos管厂家、TI(德州仪器)mos管厂家、PI mos管厂家、diodes mos管厂家、pip mos管厂家、仙童 mos管厂家、安森美mos管厂家、英飞凌(Infineon)mos管厂家、威世(Vishay)mos管厂家。
日系:东芝(Toshiba)mos管厂家、瑞萨mos管厂家、罗母(ROHM)mos管厂家、松下mos管厂家、富士mos管厂家。
韩系:KEC mos管厂家、KIA mos管厂家、AUK mos管厂家、美格纳mos管厂家、森名浩mos管厂家、威士顿(wisdom)mos管厂家、信安mos管厂家。
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