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沟槽MOSFET
- 产品概况
- 产品特点
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Features
·20V/3A,
RDs(ON) =43mΩ(Typ.) @VGs=4.5V
RDs(ON) =55mΩ(Typ.) @VGs=2.5V
·Low RDS(ON)
·SuperHigh Dense Cell Design
·Reliable and Rugged
Applications
·Load Switch
特征
·20V/3A,
RDs(ON) =43mΩ(Typ.) @VGs=4.5V
RDs(ON) =55mΩ(Typ.) @VGs=2.5V
·低RDS(ON)
·超高密度电池设计
·可靠坚固
应用
·负荷开关