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沟槽MOSFET
- 产品概况
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Features
·60V/0.3A，
RDs(ON) =1.6Ω(Typ.) @VGs=10V
RDS(ON) =1.9Ω(Typ.) @VGs=4.5V
·Low RDs(ON)
·SuperHigh Dense Cell Design
·Reliable and Rugged
·ESD Protected(HBM>2000V)
Applications
·Load Switch
特征
·60V/0.3A，
RDs(ON) =1.6Ω(Typ.) @VGs=10V
RDS(ON) =1.9Ω(Typ.) @VGs=4.5V
·低RDs(ON)
·超高密度电池设计
·可靠坚固
·ESD保护(HBM>2000V)
应用
·负荷开关
