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功率MOSFET/功率MOS管
- 产品概况
- 产品特点
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The QM3401K is the highest performance trench P-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge f or most of the small power switching and load switch applications.The QM3401K meet the RoHS and Green Product r equirement with full function reliability approved.
QM3401K是性能最高的沟道P-ch mosfet，具有极高的单元密度，为大多数小功率开关和负载开关应用提供了优异的RDSON和栅电荷。QM3401K符合RoHS和绿色产品要求，全功能可靠性得到认可。
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QM3401K替换AO3401A代换QM3401K代替AO3401
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Advanced high cell density Trench technology.
Super Low Gate Charge.
Excellent CdV/dt effect decline.
Green Device Available.
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High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA.
Networking DC-DC Power System.
Load Switch.
用于MB/NB/UMPC/VGA的高频负载点同步Buck变换器。
联网DC-DC电源系统。
负载开关。
QM3002K ① 开启电压VGS(th) (或VT) pmos的型号 QM3401K 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值，场效应管不能导通 大功率pmos管 QM3404K ② 夹断电压VGS(off) (或VP) pmos管做开关电路图 QM3403K 夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VGS(off) 时，漏极电流为零 pmos管开关电路图 QM3010K ③ 饱和漏极电流IDSS pmos管电源开关电路 QM3001K 耗尽型场效应三极管，当VGS=0时所对应的漏极电流 pmos管驱动电路 QM3009K ④ 输入电阻RGS pmos 100v 10a QM2411K 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于 pmos 插件 QM2416K 107Ω，对于绝缘栅场型效应三极管，RGS约是109～1015Ω 常用大功率pmos管 QM2423K ⑤ 低频跨导gm 贴片pmos管价格 QM2404K 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，这一点与电子管的控制作用十分相像。 150v pmos QM2409K gm可以在转移特性曲线上求取，单位是mS(毫西门子) pmos 电压选择 QM2402K ⑥ 最大漏极功耗PDM p沟道mos管 QM6008K 最大漏极功耗可由PDM= VDS ID决定，与双极型三极管的PCM相当 p沟道耗尽型mos管 QM0032S P沟道MOS管工作原理 两个p mos管并联 QM3016S 金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS p沟道mos管做开关管 QM3014S 场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导， p沟道60a的mos管 QM3005S 柵极上加有足够的正电压(源极接地)时，柵极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为衔 pmos应用电路图 QM3017S 接源极和漏极的沟道。改动栅压可以改动沟道中的电子密度，从而改动沟道的电阻。 mos增强型p沟道 QM6015S 这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。假设N型硅衬底表面不加栅 pmos 怎样选型 QM4015S 压就已存在P型反型层沟道，加上恰当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的 pmos管g17-6a sod23 QM3003S MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。 mos p沟道 QM6003S P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对 p沟道 驱动 QM4014S 值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS 无二极管 pmos 8a 30v QM3001S 晶体管阈值电压的绝对值普通偏高，恳求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大 并联 p沟道 QM4004S 小和极性，与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充 p沟道 -12v -10a QM3202S 电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属 常用pmos管型号 QM3201S —氧化物—半导体集成电路)呈现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是，因 常用pmos QM3203S PMOS电路工艺简单，价钱低价，有些中范围和小范围数字控制电路仍采用PMOS电 100v p mos 23-6 QM3002V 路技术。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适宜用于源极接VCC时的情况 p沟道增强型mos场效应管的原理 QM3001V （高端驱动）。但是，固然PMOS可以很便当地用作高端驱动，但由于导通电阻大， 低vgs 1v pmos QM3805V 价钱贵，交流种类少等缘由，在高端驱动中，通常还是运用NMOS。 二极管连接的pmos QM2417Y1 正常工作时，P沟道增强型MOS管的衬底必需与源极相连，而漏心极的电压Vds应为 不带二极管的pmos QM2520C1 负值，以保证两个P区与衬底之间的PN结均为反偏，同时为了在衬底顶表面左近构成 三极管搭配pmos管 QM6015B 导电沟道，栅极对源极的电压Vgs也应为负。 x小电流p mos QM4016D 1．Ｖds≠Ｏ的情况导电沟道构成以后，ＤＳ间加负向电压时，那么在源极与漏极之 sot23 pmos 6a QM3015D 间将有漏极电流Ｉd流通，而且Ｉd随Vds而增加．Ｉd沿沟道产生的压降使沟道上各 523 p沟道 QM6013D 点与栅极间的电压不再相等，该电压削弱了栅极中负电荷电场的作用，使沟道从漏极 pmos高端驱动 QM6015D 到源极逐渐变窄．当Ｖds增大到使Ｖgd＝Ｖgs（TH），沟道在漏极左近呈现预夹断 pmos防反接电路 QM4013AD 2．导电沟道的构成（Ｖds＝0）当Vds=0时，在栅源之间加负电压Vgs，由于绝缘 pmos选型 vgs大 QM6008D 层的存在，故没有电流，但是金属栅极被补充电而聚集负电荷，Ｎ型半导体中的多子 pmos调压 QM4002AD 电子被负电荷排斥向体内运动，表面留下带正电的离子，构成耗尽层，随着Ｇ、Ｓ间 pmos结构图 QM3002D 负电压的增加，耗尽层加宽，当Vgs增大到一定值时，衬底中的空穴（少子）被栅极 pmos管驱动电路设计 QM0018AD 中的负电荷吸收到表面，在耗尽层和绝缘层之间构成一个Ｐ型薄层，称反型层，这个 p沟道mos QM03N65D 反型层就构成漏源之间的导电沟道，这时的Ｖgs称为开启电压Vgs（th），Vgs到 p沟道mos管 smt QM6016S Vgs（th）后再增加，衬底表面感应的空穴越多，反型层加宽，而耗尽层的宽度却不 pmos管符号 QM6006D 再变化，这样我们可以用Vgs的大小控制导电沟道的宽度。 p沟道mos管导通条件 QM4015D p沟道增强型场效应管 QM0016D e/d pmos 结构图 QM2532M7 pmos管工作原理 QN4101M6N 41n6003-mos QN0102M6N 4 nmos管芯片 QN4103M6N 3400 nmos QM6006M6 3.3v nmos fet QN3109AM6N 12n1012 mos QM3017M6 0.5v低导通电压nmos管 QN0101M6N 两个n沟道mos管串联 QN3109M6N n沟道耗尽型mos管符号 QM6006M3 n沟道同步整流mos 8205a QM0016M3 n沟道同步整流mos QN3102M3N n沟道mos管开关电路 QM3017M3 n沟道mos管工作原理 QM3002M3 stm32io直接驱动nmos QN3108M3N n沟道mos管 QN3115M3N n沟道mosfet 驱动 容性 负载 电路 QM3092M3 n沟道 mos场效应管 QM4020AP cmos管电路由n沟道的mos管组成 QM8020AP AOS MOS管 QM14N50F n沟道场效应管结构 QM12N60F n沟道场效应管符号 QM12N65F n沟道mos fet
