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功率MOSFET/功率MOS管
- 产品概况
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The QM3002K is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge f or most of the small power switching and load switch applications.The QM3002K meet the RoHS and Green Product r equirement with full function reliability approved.
QM3002K是性能最高的沟道N-ch mosfet，具有极高的单元密度，为大多数小功率开关和负载开关应用提供了优良的RDSON和栅极电荷。QM3002K满足RoHS和绿色产品要求，功能完全可靠。
QM3002K替换AO3400A QM3002K替换AO3404A
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High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA
MB/NB/UMPC/VGA高频负载同步Buck变换器
Networking DC-DC Power System.
联网DC-DC电源系统。
Load Switch.
负载开关。
Advanced high cell density Trench technology.
Super Low Gate Charge.
Excellent CdV/dt effect decline.
100% EAS Guaranteed
Green Device Available.
QM3002K 1，MOS管种类和结构 n mos的s QM3401K MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4 n沟道mos选型 QM3404K 种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管型号和增强型的P沟道MOS管型号，所以通 n沟道场效应管 QM3403K 常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根 nmos管型号 QM3010K 问底。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所 nmos管极限参数 QM3001K 以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。 n沟道mos管导通条件 QM3009K MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。 nmos管产品 QM2411K 寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细 nmos管做放大 QM2416K 介绍。在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在 n沟道 QM2423K 驱动感性负载，这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成 n沟道增强型mos管 QM2404K 电路芯片内部通常是没有的。 n沟道mosfet怎么并联 QM2409K 2，MOS管导通特性 nmos QM2402K 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合 nmos fet QM6008K 用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性， nmos-3055 QM0032S Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可 nmos电压过高 QM3016S 以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中， n沟道mos管开关电路 QM3014S 通常还是使用NMOS。 n沟道场效应管 QM3005S 3，MOS开关管损失 双nmos管 QM3017S 不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量， n管 p管 功能 QM6015S 这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率 n沟道和p沟道 QM4015S MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。MOS在导通和截止的时候，一定不是在 n沟道和npn三极管 QM3003S 瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间 高压n mos QM6003S 内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而 常用nmos管型号 5v QM4014S 且开关频率越快，损失也越大。导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短 制造nmos管 QM3001S 开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这 n沟道 15v30ma QM4004S 两种办法都可以减小开关损失。 nmos管的制造流程 QM3202S 4，MOS管驱动 nmos管电路 QM3201S 跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以 nmos管栅极 QM3203S 了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。 n沟道mos管 QM3002V 在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对 nmos管插件封装 QM3001V 电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以 nmos管开关电路图 QM3805V 瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。 nmos管开关工作原理 QM2417Y1 第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱 nmos管工作原理 QM2520C1 动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V nmos管封装 QM6015B 。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都 nmos管导通条件 QM4016D 集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。 mosfet晶体管和nmos管 QM3015D 上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高 n沟道mos管工作原理 QM6013D ，导通速度越快，导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里，但在 nmos管g极能否悬空 QM6015D 12V汽车电子系统里，一般4V导通就够用了。 nmos管 漏极烧坏 QM4013AD 5，MOS管应用电路 nmos管 QM6008D MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关 nmos开关驱动电路 QM4002AD 电源，也有照明调光。 nmos开关电路 QM3002D 现在的MOS驱动，有几个特别的需求。1，低压应用当使用5V电源，这时候如果使用传统的图 n沟道和p沟道 QM0018AD 腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这 nmos pmos QM03N65D 时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。 同样的问题也发生在使用3V nmos与pmos区别 QM6016S 或者其他低压电源的场合。 n沟道pmos QM6006D c009n mos pdf QM4015D 856847 2nmos controller QM0016D 60v sot23 nmos QM2532M7 4个nmos管 h桥驱动 QN4101M6N pmos管型号 QN0102M6N p沟道场效应管 QN4103M6N pmos管g17-6a QM6006M6 pmos的g端电压最大 QN3109AM6N pmos的gs电压 QM3017M6 pmos控制电压高关断 QN0101M6N pmos开关电路关不了 QN3109M6N pmos开关电源电路 QM6006M3 fet pmos sw2301 sot-723 QM0016M3 pmos大功率 QN3102M3N pmos型号 QM3017M3 pmos关断 QM3002M3 pmos串在电源中 QN3108M3N pmos中vsd电压 QN3115M3N pmos500v QM3092M3 p mos保护 QM4020AP 100v pmos 1a QM8020AP pmos 体二极管 QM14N50F pmos s极接对地计算 QM12N60F pmos sd sgcc com cn QM12N65F pmos buck
