产品中心
首页
>
AOS
>
MOSFET/MOS管/场效应管
- 产品概况
- 产品特点
-
Trench Power AlphaMOS (αMOS LV) technology
• Low RSS(ON)
• Fully protected AlphaDFN package
• With ESD protection to improve battery performance and safety
• Common drain configuration for design simplicity
• RoHS and Halogen-Free Compliant
-
制造商零件编号：AOC2804B
制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述：MOSFET P-CH 8V 6A 4WLCSP
系列：-
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：62 毫欧 @ 1.5A， 2.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：13nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-pF @ 4V
功率 - 最大值：600mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：AlphaDFN1.5x1.5_4L
供应商器件封装：AlphaDFN1.5x1.5_4LVSS 20V
RSS(ON)
(at VGS=4.5V) < 34mΩ
RSS(ON)
(at VGS=4.0V) < 38mΩ
RSS(ON)
(at VGS=3.7V) < 40mΩ
RSS(ON)
(at VGS=3.1V) < 45mΩ
RSS(ON)
(at VGS=2.5V) < 56mΩ
Applications Typical ESD protection HBM Class 3A
