产品中心
- 产品概况
- 产品特点
-
• Trench Power AlphaMOS (αMOS LV) technology
• Low RSS(ON)
• Fully protected AlphaDFN package
• With ESD protection to improve battery performance and safety
• Common drain configuration for design simplicity
• RoHS and Halogen-Free Compliant
AOS一级代理商[泰德兰电子]销售:P沟道MOS场效应管20V10A/型号AOC2870,我司有大量现货库存/提供产品订货/现货MOS场效应管AOC2870报价,MOS场效应管AOC2870的功能介绍,MOS场效应管AOC2870特点/概况,MOS场效应管AOC2870技术资料文档下载,MOS场效应管AOC2870数据手册规格书,MOS场效应管AOC2870中文资料pdf,MOS场效应管AOC2870最低导通开启电压参数,MOS场效应管AOC2870应用电路图,MOS场效应管AOC2870引脚功能图.MOS场效应管AOC2870 AOS官网,MOS场效应管AOC2870 AOS品牌,AOS代理,AOS半导体,AOS公司简介,AOS美国万代,美国AOS.
-
制造商零件编号:AOC2870
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述:MOSFET P-CH 20V 10A 4WLCSP
系列:-
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):10A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):62 毫欧 @ 1.5A, 2.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):13nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-pF @ 4V
功率 - 最大值:600mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:AlphaDFN1.7x1.7_4L
供应商器件封装:AlphaDFN1.7x1.7_4LVSS 20V
RSS(ON)
(at VGS=4.5V) < 11.9mΩ
RSS(ON)
(at VGS=4.0V) < 12.5mΩ
RSS(ON)
(at VGS=3.7V) < 14mΩ
RSS(ON)
(at VGS=3.1V) < 15.5mΩ
RSS(ON)
(at VGS=2.5V) < 20mΩ
Applications Typical ESD protection HBM Class 3A
AOS一级代理商[泰德兰电子]销售:P沟道MOS场效应管20V10A/型号AOC2870,我司有大量现货库存/提供产品订货/现货MOS场效应管AOC2870报价,MOS场效应管AOC2870的功能介绍,MOS场效应管AOC2870特点/概况,MOS场效应管AOC2870技术资料文档下载,MOS场效应管AOC2870数据手册规格书,MOS场效应管AOC2870中文资料pdf,MOS场效应管AOC2870最低导通开启电压参数,MOS场效应管AOC2870应用电路图,MOS场效应管AOC2870引脚功能图.MOS场效应管AOC2870 AOS官网,MOS场效应管AOC2870 AOS品牌,AOS代理,AOS半导体,AOS公司简介,AOS美国万代,美国AOS.