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P沟道MOS管-型号
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AO3401A应用说明：
AO3401A 30 v p沟道MOSFET，AO3401A使用先进的海沟技术提供优秀的RDS(上),低闸极电荷和操作电压2.5 v。本设备适用于使用作为负荷开关或其他通用应用程序。
AO3401A产品目录:
VDS -30V
ID (at VGS=-10V) -4.0A
RDS(ON) (at VGS=-10V) < 50mΩ
RDS(ON) (at VGS =-4.5V) < 60mΩ
RDS(ON) (at VGS=-2.5V) < 85mΩ
AO3401A产品封装:SOT23
AO3401A特性说明：
电特性(TJ = 25°C除非另有注明)
a . RθJA的价值衡量与设备安装在1 in2
FR-4板2盎司。在静止空气环境中铜、TA = 25°C。的
价值在任何给定的应用程序依赖于用户的特定板设计。
b .功耗PD基于TJ (MAX) = 150°C,使用≤10 s junction-to-ambient热阻。
C .重复的评级,脉冲宽度限制结温TJ (MAX) = 150°C。评级是基于低频率和占空比
initialTJ = 25°C。
d . RθJA热阻抗之和从结领导RθJL并导致环境。
e .图1到6的静态特征获得使用< 300µs脉冲,工作周期0.5% max。
f .这些曲线是基于junction-to-ambient热阻抗测量的设备安装在1 in2
FR-4板与2盎司。铜、假设的最大结温TJ (MAX) = 150°C。SOA曲线提供了一种单脉冲ratin g。
