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TVS二极管XBP06V1E4MR

  • 产品概况
  • 产品特点
  • XBP06V1E4MR适用于4沟道的TVS二极管矩阵。采用了小型表面安装式封装,最适用于高密度电子仪器。

  • PARAMETERSYMBOLRATINGSUNITS
    Peak Pulse Power (*1)Ppk200W
    Power DissipationPd250
    750(*2)
    mW
    Junction TemperatureTj150
    Storage Temperature RangeTstg-55+150
    ESD Durability (*3)(*4)
       
    Contact Discharge
    Vpp30kV


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