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瞬态电压抑制器
- 产品概况
- 产品特点
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XBP06V1E4MR适用于4沟道的TVS二极管矩阵。采用了小型表面安装式封装,最适用于高密度电子仪器。
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PARAMETER SYMBOL RATINGS UNITS Peak Pulse Power (*1) Ppk 200 W Power Dissipation Pd 250
750(*2)mW Junction Temperature Tj 150 ℃ Storage Temperature Range Tstg -55~+150 ℃ ESD Durability (*3)(*4)
Contact DischargeVpp 30 kV