产品中心
- 产品概况
- 产品特点
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Trench Power MOSFET technology
• Low RSS(ON)
• With ESD protection to improve battery performance and safety
• Common drain configuration for design simplicity
• RoHS and Halogen-Free Compliant
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原厂标准完整型号: AOC3860
制造厂家名称: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
功能总体简述: MOSFET 2N-CH
系列: AlphaMOS
FET 类型: 2 N 沟道(双)共漏
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): -
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): -
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 12.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): -
功率 - 最大值: 700mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳:AlphaDFN3.05x1.77_6L
供应商器件封装: AlphaDFN3.05x1.77_6LVSS 12V
RSS(ON)
(at VGS=4.5V) < 2.7mΩ
RSS(ON)
(at VGS=4.0V) < 2.8mΩ
RSS(ON)
(at VGS=3.8V) < 2.85mΩ
RSS(ON)
(at VGS=3.1V) < 3.3mΩ
RSS(ON)
(at VGS=2.5V) < 4.2mΩ
Applications Typical ESD protection HBM Class 2