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MOSFET/MOS管/场效应管
- 产品概况
- 产品特点
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Trench Power AlphaMOS (αMOS LV) technology
• Low RSS(ON)
• Fully protected AlphaDFN package
• With ESD protection to improve battery performance and safety
• Common drain configuration for design simplicity
• RoHS and Halogen-Free Compliant
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原厂标准完整型号: AOC3864
制造厂家名称: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
功能总体简述: MOSFET 2N-CH
系列: AlphaMOS
FET 类型: 2 N 沟道（双）共漏
FET 功能: 标准
漏源极电压（Vdss）: -
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: -
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: -
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 12.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: -
功率 - 最大值: 700mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳:AlphaDFN2.7x1.8_6L
供应商器件封装:AlphaDFN2.7x1.8_6LVSS 20V
RSS(ON)
(at VGS=4.5V) < 5.7mΩ
RSS(ON)
(at VGS=4.0V) < 5.8mΩ
RSS(ON)
(at VGS=3.7V) < 6mΩ
RSS(ON)
(at VGS=3.1V) < 7.5mΩ
RSS(ON)
(at VGS=2.5V) < 9mΩ
Applications Typical ESD protection HBM Class 2
