台湾松木MOS管 ME1304AT3数据手册规格书ME1304AT3中文资料pdf_SC-70-3L_AOS代理商_AOS美国万代(万国)半导体授权一级MOS管代理商泰德兰电子

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台湾 UBIQ MOS管
功率MOSFET/功率MOS管
台湾松木 MOS管
SOP-8 D-PAK TSOP6 TO-220 TO-251 SOT-23 TO-263 SOT-89 DFN2*2 DFN3*2 DFN3*3 TSSOP8 SC-70-6 PPAK5*6 SOT-223 TO-220F SOT-323 SC-70-3L TO252-4L DFN3.3*3.3
国产新洁能 MOS管
新洁能—高压MOS管-低压MOS管-大小功率MOS管型号
国产 LRC 二极管
ESD二极管高压二极管开关二极管稳压二极管肖特基二极管快恢复二极管 TVS保护二极管普通整流二极管
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SMD带阻三极管 SMD开关三极管 SMD通用三极管
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产品概况
产品特点

The ME1304AT3 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where high-side switching , and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

应用：
●笔记本中的电源管理

●便携式设备

●负荷开关

●差示扫描量热仪
● RDS(ON) ≦ 65 mΩ @VGS=4.5V
● RDS(ON) ≦ 80 mΩ @VGS=2.5V
● RDS(ON) ≦ 95 mΩ @VGS=1.8V
● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability