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  • ME50P06 / ME50P06-G,P沟道mos管 60V(D-S)MOSFET

    ME50P06-G介绍:

    ME50P06是使用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计,可最大程度地降低导通电阻。 这些器件特别适合于低电压应用,例如蜂窝电话和笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电路,并且在非常小的外形表面安装封装中需要低的在线功率损耗。


    ME50P06-G特征:

    ●RDS(ON)≦17mΩ@ VGS = -10V

    ●RDS(ON)≦20mΩ@VGS=-4.5V●超高密度电池设计,极低的RDS(ON)

    ●出色的导通电阻和最大直流电流能力


    ME50P06-G应用领域:

    ●笔记本中的电源管理

    ●DC / DC转换器

    ●负荷开关

    ●液晶显示逆变器


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