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台湾 UBIQ MOS管
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新洁能—高压MOS管-低压MOS管-大小功率MOS管型号
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产品概况
产品特点

The ME3205F is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density,DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone,notebook computer power management and other battery powered circuits,and low in-line power loss that are needed in a very small outline surface mount package.

应用：
●电源管理

●DC/DC转换器
● RDS(ON)≦6mΩ@VGS=10V
● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability