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ME2N7002E-G(绿色)N 沟道增强型场效应晶体管
ME2N7002E-G一般说明：
ME2N7002E-G 是 N 沟道增强型场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 技术生产。
这些产品旨在最大限度地减少通态电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。它们可用于需要高达 300mA DC 的大多数应用，并可提供高达 1.2A 的脉冲电流。这些产品特别适用于低电压、低电流应用，例如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 栅极驱动器和其他开关应用。
ME2N7002E-G特征：
60V / 0.50A , RDS(ON)= 5.0ȍ@VGS=10V
60V / 0.30A , RDS(ON)= 5.5ȍ@VGS=4.5V
超高密度电池设计，适用于极低 RDS (ON)出色的导通电阻和最大值直流电流能力
ME2N7002E-G封装：
采用SOT-23 封装设计
ME2N7002E-G应用：
用于低 RDS(ON) 的高密度电池设计
压控小信号开关
坚固可靠
高饱和电流能力。
焊接温度和时间不得超过
260° 10 秒以上。
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