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- 产品特点
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The ME2306A is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors, using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.
These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone, notebook computer power management and other battery powered circuits, and low in-line power loss that are needed in a very small outline surface mount package.
ME2306A是N通道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度、DMOS沟道技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。
这些设备特别适用于低电压应用,如蜂窝电话、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路,以及非常小的外形表面安装包所需的低内联功耗。
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● RDS(ON)≦32mΩ@VGS=10V
● RDS(ON)≦38mΩ@VGS=4.5V
● RDS(ON)≦50mΩ@VGS=2.5V
● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
● Exceptional on-resistance and maximum DC current
MOS管应用领域:
●笔记本中的电源管理
●便携式设备
●电池供电系统
●DC/DC转换器
●负荷开关
●差示扫描量热仪
●液晶显示逆变器
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