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SOT-23
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The ME2302 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors, using high cell density, DMOS trench technology.This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone, notebook computer power management and other battery powered circuits, and low in-line power loss that are needed in a very small outline surface mount package.
应用：
●笔记本电脑的电源管理
●便携式设备
●负荷开关
●差示扫描量热仪
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● RDS(ON)≦85mΩ@VGS=4.5V
● RDS(ON)≦115mΩ@VGS=2.5V
● RDS(ON)≦130mΩ@VGS=1.8V
● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability
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